学位申请者信息公示
学号 BA21173041
姓名 王洪培
所在院系 173苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请专业 电子科学与技术
学位论文自我评价 论文题目 GaAs基InAs量子点半导体可饱和吸收镜的研制
主要创新点
1.
2.
3.
有待改进之处
 
答辩结果 通过:6 建议修改: 不通过:0
发表论文情况:
发表论文(1) Effects of plasmonic Au nanoparticles on the optical nonlinearity of InAs/GaAs quantum dot semiconductor saturable absorber mirrors
论文(1)发表期刊 Photonics(SCI三区, 2.536) 位于科大期刊目录第0页第0条
论文(1)发表刊次 2024, 11(3): 235 论文(1)作者排名:本人第一
发表论文(2) SiO2 passivated graphene saturable absorber mirrors for ultrashort pulse generation
论文(2)发表期刊 Nanomaterials(SCI三区, 5.719) 位于科大期刊目录第0页第0条
论文(2)发表刊次 2023, 13(1): 111 论文(2)作者排名:本人第一
发表论文(3) 基于量子点可饱和吸收镜的锁模激光器
论文(3)发表期刊 半导体技术-物理学学科 位于科大期刊目录第17页第84条
论文(3)发表刊次 2021, 46(6):6 论文(3)作者排名:本人第一