学号 | BA21173041 | ||
姓名 | 王洪培 | ||
所在院系 | 173苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | ||
申请专业 | 电子科学与技术 | ||
学位论文自我评价 | 论文题目 | GaAs基InAs量子点半导体可饱和吸收镜的研制 | |
主要创新点 |
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1. | |||
2. | |||
3. | |||
有待改进之处 |
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答辩结果 | 通过:6 建议修改: 不通过:0 | ||
发表论文情况: | |||
发表论文(1) | Effects of plasmonic Au nanoparticles on the optical nonlinearity of InAs/GaAs quantum dot semiconductor saturable absorber mirrors | ||
论文(1)发表期刊 | Photonics(SCI三区, 2.536) | 位于科大期刊目录第0页第0条 | |
论文(1)发表刊次 | 2024, 11(3): 235 | 论文(1)作者排名:本人第一 | |
发表论文(2) | SiO2 passivated graphene saturable absorber mirrors for ultrashort pulse generation | ||
论文(2)发表期刊 | Nanomaterials(SCI三区, 5.719) | 位于科大期刊目录第0页第0条 | |
论文(2)发表刊次 | 2023, 13(1): 111 | 论文(2)作者排名:本人第一 | |
发表论文(3) | 基于量子点可饱和吸收镜的锁模激光器 | ||
论文(3)发表期刊 | 半导体技术-物理学学科 | 位于科大期刊目录第17页第84条 | |
论文(3)发表刊次 | 2021, 46(6):6 | 论文(3)作者排名:本人第一 |