| 学号 | BA21173037 | ||
| 姓名 | 戴亚雨 | ||
| 所在院系 | 173苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | ||
| 申请专业 | 电子科学与技术 | ||
| 学位论文自我评价 | 论文题目 | 硅衬底上高In组分InGaN基光电材料外延生长研究 | |
主要创新点 |
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| 1. | |||
| 2. | |||
| 3. | |||
有待改进之处 |
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| 答辩结果 | 通过：5 建议修改： 不通过：0 | ||
| 发表论文情况： | |||
| 发表论文(1) | Boosting the efficiency of InGaN-based green LEDs grown on Si through buffer strain engineering | ||
| 论文(1)发表期刊 | APPLIED PHYSICS LETTERS(SCI二区, 3.971) | 位于科大期刊目录第0页第0条 | |
| 论文(1)发表刊次 | 125, 022102 (2024) | 论文(1)作者排名：本人第一 | |
| 发表论文(2) | 480nm InGaN-based cyan laser diode grown on Si by interface engineering of active region | ||
| 论文(2)发表期刊 | OPTICS EXPRESS(SCI二区, 3.833) | 位于科大期刊目录第0页第0条 | |
| 论文(2)发表刊次 | 2024, 32(11): 19069-19075 | 论文(2)作者排名：本人第一 | |