| 学号 | BA20002003 | ||
| 姓名 | 王宇晨 | ||
| 所在院系 | 002物理系 | ||
| 申请专业 | 物理学 | ||
| 学位论文自我评价 | 论文题目 | Hf0.5Zr0.5O2薄膜的铁电性及其对MOSFET亚阈值摆幅的影响 | |
主要创新点 |
|||
| 1. | |||
| 2. | |||
| 3. | |||
有待改进之处 |
|||
| 答辩结果 | 通过：5 建议修改： 不通过：0 | ||
| 发表论文情况： | |||
| 发表论文(1) | Ultralow Subthreshold Swing of a MOSFET Caused by Ferroelectric Polarization Reversal of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films | ||
| 论文(1)发表期刊 | ACS Applied Materials & Interfaces(SCI二区, 10.383) | 位于科大期刊目录第0页第0条 | |
| 论文(1)发表刊次 | 15 (2023) 42764-42773 | 论文(1)作者排名：本人第一 | |
| 发表论文(2) | Simultaneously achieving high-κ and strong ferroelectricity in Hf0.5Zr0.5O2 thin film by structural stacking design | ||
| 论文(2)发表期刊 | Journal of Materiomics(SCI一区, 8.589) | 位于科大期刊目录第0页第0条 | |
| 论文(2)发表刊次 | 已录用 | 论文(2)作者排名：本人第一 | |