| 学号 | BA19173037 | ||
| 姓名 | 方俊 | ||
| 所在院系 | 173苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | ||
| 申请专业 | 微电子学与固体电子学 | ||
| 学位论文自我评价 | 论文题目 | p型氮化物材料的金属调制分子束外延生长及性质研究 | |
主要创新点 |
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| 1. | |||
| 2. | |||
| 3. | |||
有待改进之处 |
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| 答辩结果 | 通过：6 建议修改： 不通过：0 | ||
| 发表论文情况： | |||
| 发表论文(1) | The Effect of Periodic Duty Cyclings in Metal-Modulated Epitaxy on GaN:Mg Film | ||
| 论文(1)发表期刊 | Materials(SCI三区, 3.748) | 位于科大期刊目录第0页第0条 | |
| 论文(1)发表刊次 | 2023, 16(4), 1730 | 论文(1)作者排名：本人第一 | |
| 发表论文(2) | Electrical properties and structural optimization of GaN/InGaN/GaN tunnel junction grown by molecular beam epitaxy | ||
| 论文(2)发表期刊 | Journal of Semiconductors | 位于科大期刊目录第0页第0条 | |
| 论文(2)发表刊次 | 2024, 45(1): 012503. | 论文(2)作者排名：本人第一 | |