| 学号 | BA17038029 | ||
| 姓名 | 井方铭 | ||
| 所在院系 | 038光学与光学工程系 | ||
| 申请专业 | 物理学 | ||
| 学位论文自我评价 | 论文题目 | 双层石墨烯可调门控量子点中自旋轨道耦合劈裂的研究 | |
主要创新点 |
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| 1. | |||
| 2. | |||
| 3. | |||
有待改进之处 |
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| 答辩结果 | 通过：5 建议修改： 不通过：0 | ||
| 发表论文情况： | |||
| 发表论文(1) | Tunable p–n junction barriers in few-electron bilayer graphene quantum dots | ||
| 论文(1)发表期刊 | APPLIED PHYSICS LETTERS(SCI二区, 3.971) | 位于科大期刊目录第0页第0条 | |
| 论文(1)发表刊次 | 123, 184001 (2023) | 论文(1)作者排名：本人第一 | |
| 发表论文(2) | Gate-controlled quantum dots based on 2d materials | ||
| 论文(2)发表期刊 | Advanced Quantum Technologies(SCI二区, 5.31) | 位于科大期刊目录第0页第0条 | |
| 论文(2)发表刊次 | 2022, 2100162 | 论文(2)作者排名：并列第一(1/2) | |
| 发表论文(3) | 半导体量子芯片及其制作方法 | ||
| 论文(3)发表期刊 | 专利公开（授权）号：CN 110085668 B | 位于科大期刊目录第0页第0条 | |
| 论文(3)发表刊次 | 专利公开（授权）日期：2021年08月23日 | 论文(3)作者排名：导师第一,本人第二 | |
| 发表论文(4) | 半导体量子芯片 | ||
| 论文(4)发表期刊 | 专利公开（授权）号：CN 210006742 U | 位于科大期刊目录第0页第0条 | |
| 论文(4)发表刊次 | 专利公开（授权）日期：2020年1月31日 | 论文(4)作者排名：导师第一,本人第二 | |